BD539-S

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 60V 5A NPN

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规格书	BD539x
文档	TISP Series Feb/2013 TO-220 Material Declaration
RoHS信息	TO-220 材料 Declaration
标准包装	15,000
晶体管类型	NPN
集电极电流（Ic）（最大）	5A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	40V
Vce饱和（最大）@ IB，IC	1.5V @ 1A, 5A
电流 - 集电极截止（最大）	300µA
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE	12 @ 3A, 4V
功率 - 最大	2W
频率转换	-
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220
包装材料	Tube
集电极最大直流电流	5
最低工作温度	-65
安装	Through Hole
包装宽度	4.7(Max)
PCB	3
最大功率耗散	45000
类型	NPN
欧盟RoHS指令	Compliant
每个芯片的元件数	1
最大集电极基极电压	40
最大集电极发射极电压	40
供应商封装形式	TO-220
标准包装名称	TO-220
最高工作温度	150
包装长度	10.4(Max)
引脚数	3
最小直流电流增益	40@0.5A@4V\|30@1A@4V\|12@3A@4V
包装高度	8.72(Max)
最大基地发射极电压	5
标签	Tab
铅形状	Through Hole
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	5A
晶体管类型	NPN
安装类型	Through Hole
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件	1.5V @ 1A, 5A
电流 - 集电极截止（最大）	300µA
标准包装	15,000
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	40V
供应商设备封装	TO-220
封装	Tube
功率 - 最大	2W
封装/外壳	TO-220-3
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	12 @ 3A, 4V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant

型号	厂家	产品描述
BD539	Bourns	Transistors Bipolar - BJT 45W NPN Silicon
BD539A	Bourns	Transistors Bipolar - BJT 45W NPN Silicon
BD539A-S	bourns	Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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